《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志好發表嗎?
來源:優發表網整理 2024-09-18 10:58:34 455人看過
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是一本專注于工程技術領域的期刊,發表難度因多種因素而異,以下是具體分析:
出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設備、材料、工藝、接口、集成微系統(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應用。從概念階段到研發再到制造規模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產品推向市場提供了設備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數據庫。這個可靠性數據庫是滿足客戶期望的優質產品的基礎。這樣開發的產品具有高可靠性。高質量將實現,因為產品弱點將被發現(根本原因分析)并在最終產品中設計出來。這個不斷提高可靠性和質量的過程將產生卓越的產品。歸根結底,可靠性和質量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產品在客戶條件下在現場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關注電子材料和設備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇。總體目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產品的創造至關重要。
發表難度
影響因子與分區:《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的影響因子為2.5,屬于JCR分區Q2區,中科院分區中大類學科工程技術為3區, 小類學科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣為3區,較高的影響因子和較好的分區表明其在學術界具有較高的影響力和認可度,因此對稿件的質量要求也相對較高,發表難度較大。
歷年IF值(影響因子):
WOS分區(數據版本:2023-2024年最新版)
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
| 學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
| 學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學術信息的重要數據庫,Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分,根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區中,最后的劃分結果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質量最高。
審稿周期預計:平均審稿速度 較慢,6-12周 ,審稿周期也體現了編輯部對稿件質量的嚴格把關。
發表建議
提高稿件質量:確保研究內容具有創新性和學術價值,語言表達清晰準確,符合雜志工程:電子與電氣的格式和要求。
提前準備:根據審稿周期,建議作者提前規劃好研究和寫作進度,以便有足夠的時間進行修改和補充。同時,可以關注《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的約稿信息,如果能夠獲得約稿機會,發表的可能性會更大。
聲明:以上內容來源于互聯網公開資料,如有不準確之處,請聯系我們進行修改。