《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志查重率過高能過審嗎？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:58:34 455人看過
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志查重率過高通常很難過審，論文的重復率是一個重要的考量因素，不同的期刊要求不一樣，通常來說，SCI論文查重率一般建議低于15%或者20%以下，投稿都比較安全?？偟膩碚f，保持論文的原創(chuàng)性和獨特性是關(guān)鍵。
該雜志是國際知名的學術(shù)出版物，對論文的原創(chuàng)性和學術(shù)質(zhì)量有著極高的要求。查重率過高往往被視為學術(shù)不端行為的一種表現(xiàn)，如抄襲或過度引用他人成果，這嚴重違反了學術(shù)誠信原則。
如果查重率過高，常會采取以下措施：
1、直接拒稿：對于查重率明顯超標的論文，SCI期刊往往會直接拒絕接受其發(fā)表。這是為了保護學術(shù)界的原創(chuàng)性和誠信，避免抄襲等學術(shù)不端行為的傳播。
2、要求修改并重審：在某些情況下，如果論文的查重率雖然較高，但其中存在合理的引用和解釋，期刊編輯部可能會要求作者進行修改并重審。然而，這種情況相對較少，且修改后的論文仍需滿足期刊的原創(chuàng)性要求。
因此，投稿前最好使用專業(yè)查重工具檢測并優(yōu)化重復內(nèi)容。
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志（ISSN: 1530-4388，ESSN：1558-2574）是一本專注于工程技術(shù) - 工程：電子與電氣的國際SCI期刊，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版，創(chuàng)刊于2001年，出版周期為Quarterly。
該雜志主要發(fā)表由領(lǐng)域內(nèi)專家撰寫的短篇文章，旨在以簡明易懂的方式呈現(xiàn)工程：電子與電氣的最新研究進展，特別適合尚未深入該領(lǐng)域的科研人員閱讀。
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志在工程技術(shù) - 工程：電子與電氣領(lǐng)域具有較高的學術(shù)影響力，最新影響因子為2.5。
JCR分區(qū)為Q2（ 按JIF指標學科分區(qū)中學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q2，排名：165 / 352，百分位：53.3%；PHYSICS, APPLIED中為Q2，排名：87 / 179，百分位：51.7%； 按JCI指標學科分區(qū)中學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q3，排名：186 / 354，百分位：47.6%；PHYSICS, APPLIED中為Q3，排名：99 / 179，百分位：44.97%； ）。
CiteScore為4.8，(CiteScore排名為大類：Engineering，小類：Safety, Risk, Reliability and Quality，分區(qū)：Q2，排名：65 / 207，百分位：68%； 大類：Engineering，小類：Electrical and Electronic Engineering，分區(qū)：Q2，排名：274 / 797，百分位：65%； 大類：Engineering，小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區(qū)：Q2，排名：103 / 284，百分位：63%； )
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是一本歷史悠久、聲譽良好的工程技術(shù)期刊，以其高質(zhì)量、易讀性和前沿性在學術(shù)界占據(jù)重要地位。
WOS分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術(shù)會議多學科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
CiteScore分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||
| 4.8 | 0.436 | 1.148 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領(lǐng)域中預期的受引用情況進行衡量。
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