Journal Title:Ieee Transactions On Device And Materials Reliability
The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.
出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設備、材料、工藝、接口、集成微系統(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應用。從概念階段到研發再到制造規模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產品推向市場提供了設備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數據庫。這個可靠性數據庫是滿足客戶期望的優質產品的基礎。這樣開發的產品具有高可靠性。高質量將實現,因為產品弱點將被發現(根本原因分析)并在最終產品中設計出來。這個不斷提高可靠性和質量的過程將產生卓越的產品。歸根結底,可靠性和質量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產品在客戶條件下在現場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關注電子材料和設備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇??傮w目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產品的創造至關重要。
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability創刊于2001年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,收稿方向涵蓋工程技術 - 工程:電子與電氣全領域,此刊是中等級別的SCI期刊,所以過審相對來講不是特別難,但是該刊專業認可度不錯,仍然是一本值得選擇的SCI期刊 。平均審稿速度 較慢,6-12周 ,影響因子指數2.5,該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單,廣大學者值得一試。
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 3區 | 否 | 否 |
名詞解釋:
中科院分區也叫中科院JCR分區,基礎版分為13個大類學科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區,影響因子5%為1區,6%-20%為2區,21%-50%為3區,其余為4區。
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 3區 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 | 3區 4區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
| 學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
| 學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學術信息的重要數據庫,Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分,根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區中,最后的劃分結果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||
| 4.8 | 0.436 | 1.148 |
|
名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經過加權后的期刊受引用次數。引用次數的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。
| 是否OA開放訪問: | h-index: | 年文章數: |
| 未開放 | 63 | 72 |
| Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影響因子(數據來源于搜索引擎): | 開源占比(OA被引用占比): |
| 24.52% | 2.5 | 0.05... |
| 研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) | 期刊收錄: | 中科院《國際期刊預警名單(試行)》名單: |
| 97.22% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子):
歷年引文指標和發文量:
歷年中科院JCR大類分區數據:
歷年自引數據:
2023-2024國家/地區發文量統計:
| 國家/地區 | 數量 |
| USA | 52 |
| CHINA MAINLAND | 51 |
| India | 50 |
| Taiwan | 35 |
| France | 20 |
| Italy | 18 |
| Belgium | 15 |
| Austria | 14 |
| Japan | 13 |
| GERMANY (FED REP GER) | 12 |
2023-2024機構發文量統計:
| 機構 | 數量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 23 |
| IMEC | 15 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 14 |
| STMICROELECTRONICS | 10 |
| TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN | 9 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 8 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 8 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE A... | 7 |
| GLOBALFOUNDRIES | 7 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
近年引用統計:
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
| IEEE T NUCL SCI | 116 |
| MICROELECTRON RELIAB | 100 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
| APPL PHYS LETT | 59 |
| J APPL PHYS | 44 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
| IEEE T POWER ELECTR | 23 |
近年被引用統計:
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| MICROELECTRON RELIAB | 88 |
| IEEE ACCESS | 47 |
| IEEE T NUCL SCI | 37 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
| IEEE T POWER ELECTR | 31 |
| J MATER SCI-MATER EL | 31 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
近年文章引用統計:
| 文章名稱 | 數量 |
| A First-Principles Study of the ... | 23 |
| Understanding BTI in SiC MOSFETs... | 9 |
| Comparative Thermal and Structur... | 9 |
| Output-Power Enhancement for Hot... | 8 |
| Rapid Solder Interconnect Fatigu... | 7 |
| Study of Long Term Drift of Alum... | 7 |
| Impacts of Process and Temperatu... | 6 |
| Comparative Study of Reliability... | 6 |
| A Compact and Self-Isolated Dual... | 6 |
| A Review on Hot-Carrier-Induced ... | 6 |
| 同小類學科的其他優質期刊 | 影響因子 | 中科院分區 |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區 |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區 |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區 |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區 |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區 |
| Complexity | 1.7 | 4區 |
| Electronics | 2.6 | 3區 |
| Aerospace | 2.1 | 3區 |
| Buildings | 3.1 | 3區 |
| Energy | 9 | 1區 |
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。