《Journal Of Crystal Growth》雜志好發表嗎？
來源：優發表網整理 2024-09-18 10:49:04 815人看過
《Journal Of Crystal Growth》雜志是一本專注于材料科學領域的期刊，發表難度因多種因素而異，以下是具體分析：
該期刊為從事晶體生長實驗和理論方面研究及其應用（例如在設備中）的工作者提供了通用的參考和出版資源。以下領域的實驗和理論貢獻均已發表：成核和生長理論、分子動力學和傳輸現象、聚合物和玻璃等粘性介質中的結晶；金屬、礦物、半導體、超導體、磁性材料、無機、有機和生物物質的塊體或薄膜晶體生長；分子束外延、化學氣相沉積、III-V 和 II-VI 以及其他半導體的生長；通過物理和化學方法表征單晶；晶體生長的裝置、儀器和技術以及凈化方法；多層異質結構及其表征，重點是電子材料的晶體生長和外延方面。該期刊的一大特色是定期收錄有關晶體生長相關方面的研討會和會議論文集。
發表難度
影響因子與分區：《Journal Of Crystal Growth》雜志的影響因子為1.7，屬于JCR分區Q3區，中科院分區中大類學科材料科學為4區， 小類學科CRYSTALLOGRAPHY晶體學為3區，較高的影響因子和較好的分區表明其在學術界具有較高的影響力和認可度，因此對稿件的質量要求也相對較高，發表難度較大。
歷年IF值(影響因子)：
WOS分區（數據版本：2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學術信息的重要數據庫，Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息，來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分，根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區中，最后的劃分結果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質量最高。
審稿周期預計：平均審稿速度 約2.6個月 約10周，審稿周期也體現了編輯部對稿件質量的嚴格把關。
發表建議
提高稿件質量：確保研究內容具有創新性和學術價值，語言表達清晰準確，符合雜志晶體學的格式和要求。
提前準備：根據審稿周期，建議作者提前規劃好研究和寫作進度，以便有足夠的時間進行修改和補充。同時，可以關注《Journal Of Crystal Growth》雜志的約稿信息，如果能夠獲得約稿機會，發表的可能性會更大。
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