通常情況下，《Journal Of Crystal Growth》雜志發表的文章被SCIE數據庫收錄的時間沒有固定標準，若想了解詳細、準確的具體情況，建議直接與雜志社取得聯系或者向在線客服進行咨詢。

多久能被SCI數據庫一般可以歸納出以下情況：

論文發表后到在線時間：SCI論文發表后，一般需要大約3個月的時間才能在期刊官網上線，這是論文初次對外公開的時間點。

在線后到數據庫檢索時間：論文在線后，通常還需要1-3個月的時間才能在Web of Science（WOS）數據庫中檢索到，這個過程被稱為論文的索引或收錄。

整體時間周期：從投稿到論文被SCI數據庫收錄，整個周期大概需要一年左右的時間。具體來說，投稿后可能需要5-6個月收到接收通知，然后經過2-3個月論文會在官網上線，再之后2-3個月論文會被WOS數據庫收錄。

然而，這個時間周期并不是絕對的，它受到多種因素的影響，如：期刊類型、論文質量、數據庫更新等。

《Journal Of Crystal Growth》雜志已被SCIE國際知名數據庫收錄，在JCR分區中位于CRYSTALLOGRAPHY學科Q3區MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY學科Q3區PHYSICS, APPLIED學科Q3區，在CiteScore評價中位于Physics and Astronomy學科的Q2區Physics and Astronomy學科的Q2區Physics and Astronomy學科的Q3區具有較高的學術影響力，在該領域受到廣泛認可。

作為一本專注于化學 - 晶體學領域的學術期刊，它致力于發表高質量的研究論文和為相關領域的研究人員提供重要的學術資源。

該雜志出版周期是Biweekly，平均審稿速度預計為： 約2.6個月 約10周。

該期刊為從事晶體生長實驗和理論方面研究及其應用（例如在設備中）的工作者提供了通用的參考和出版資源。以下領域的實驗和理論貢獻均已發表：成核和生長理論、分子動力學和傳輸現象、聚合物和玻璃等粘性介質中的結晶；金屬、礦物、半導體、超導體、磁性材料、無機、有機和生物物質的塊體或薄膜晶體生長；分子束外延、化學氣相沉積、III-V 和 II-VI 以及其他半導體的生長；通過物理和化學方法表征單晶；晶體生長的裝置、儀器和技術以及凈化方法；多層異質結構及其表征，重點是電子材料的晶體生長和外延方面。該期刊的一大特色是定期收錄有關晶體生長相關方面的研討會和會議論文集。