《Journal Of Crystal Growth》雜志是一本專注于材料科學領域的高質量期刊，該雜志的錄用率受多種因素影響，想具體了解可聯系雜志社或咨詢在線客服。

《Journal Of Crystal Growth》雜志的錄用率受多種因素影響，具體如下：

年發文量：《Journal Of Crystal Growth》雜志年發文量為：306篇。年發文量較大的期刊，相對而言錄用率會高一些。

質量與創新性：論文的科學性、嚴謹性、數據可靠性以及創新性是關鍵。

期刊分區：《Journal Of Crystal Growth》雜志在中科院的分區為4區，而在JCR的分區為Q3。

論文質量：包括研究設計的合理性、數據的可靠性、分析方法的科學性等。

影響力與排名：《Journal Of Crystal Growth》雜志IF影響因子為：1.7。高影響力的期刊通常對論文質量要求更高，錄用率相對較低。

審稿流程：嚴格的多輪審稿流程會篩選掉部分稿件，導致錄用率下降。

投稿數量：在特定時期內，若大量研究者集中向某期刊投稿，會導致稿件堆積，錄用率下降。

SCI期刊的錄用率受多重因素影響，作者應根據自身研究特點選擇合適的期刊，并確保稿件質量以提高錄用機會，投稿前務必仔細閱讀期刊的投稿指南，并與雜志社保持良好溝通。

《Journal Of Crystal Growth》雜志簡介

中文簡稱：晶體生長雜志
國際標準簡稱：J CRYST GROWTH
出版商：Elsevier
出版周期：Biweekly
出版年份：1967年
出版地區：NETHERLANDS
ISSN：0022-0248
ESSN：1873-5002
研究方向：化學 - 晶體學

該期刊為從事晶體生長實驗和理論方面研究及其應用（例如在設備中）的工作者提供了通用的參考和出版資源。以下領域的實驗和理論貢獻均已發表：成核和生長理論、分子動力學和傳輸現象、聚合物和玻璃等粘性介質中的結晶；金屬、礦物、半導體、超導體、磁性材料、無機、有機和生物物質的塊體或薄膜晶體生長；分子束外延、化學氣相沉積、III-V 和 II-VI 以及其他半導體的生長；通過物理和化學方法表征單晶；晶體生長的裝置、儀器和技術以及凈化方法；多層異質結構及其表征，重點是電子材料的晶體生長和外延方面。該期刊的一大特色是定期收錄有關晶體生長相關方面的研討會和會議論文集。

在中科院分區表中，大類學科為材料科學4區， 小類學科為CRYSTALLOGRAPHY晶體學3區。

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