《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優發表網整理 2024-09-18 10:50:45 964人看過
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志收稿范圍涵蓋工程技術全領域，此刊是該細分領域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業細分領域中學術影響力較大，專業度認可很高，所以對原創文章要求創新性較高，如果您的文章質量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 約4.7個月 ，影響因子指數2.9。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
具體收稿要求需聯系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數據
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數： |
| 未開放 | 165 | 1084 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數據來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 6.38% | 2.9 | 0.06... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發文量：
歷年中科院JCR大類分區數據：
歷年自引數據：
發文統計
2023-2024國家/地區發文量統計：
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 741 |
| USA | 455 |
| India | 399 |
| Taiwan | 232 |
| South Korea | 181 |
| GERMANY (FED REP GER) | 149 |
| Japan | 123 |
| Italy | 111 |
| France | 110 |
| England | 100 |
2023-2024機構發文量統計：
| 機構 | 數量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 239 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 123 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 92 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 81 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 76 |
| IMEC | 74 |
| PEKING UNIVERSITY | 66 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 58 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 57 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 50 |
近年引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1587 |
| APPL PHYS LETT | 1366 |
| J APPL PHYS | 866 |
| SOLID STATE ELECTRON | 384 |
| PHYS REV B | 305 |
| ADV MATER | 238 |
| MICROELECTRON RELIAB | 235 |
| NANO LETT | 209 |
| ACS APPL MATER INTER | 195 |
近年被引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 865 |
| JPN J APPL PHYS | 565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 499 |
| SOLID STATE ELECTRON | 431 |
| IEEE ACCESS | 422 |
| SEMICOND SCI TECH | 412 |
| J APPL PHYS | 400 |
| APPL PHYS LETT | 388 |
| J COMPUT ELECTRON | 284 |
近年文章引用統計：
| 文章名稱 | 數量 |
| Fully Inkjet-Printed Photodetect... | 42 |
| Effects of Postannealing on the ... | 37 |
| Critical Role of Interlayer in H... | 28 |
| Demonstration of Constant 8 W/mm... | 27 |
| Ferroelectric FETs With 20-nm-Th... | 22 |
| 2-D Layered Materials for Next-G... | 20 |
| High Endurance Ferroelectric Haf... | 20 |
| BTI Analysis Tool-Modeling of NB... | 20 |
| Improved Switching Stability and... | 18 |
| Design and Investigation of Char... | 17 |
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