《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志在中科院分區中的情況如下：大類學科：工程技術， 分區：2區； 小類學科：PHYSICS, APPLIED物理：應用， 分區：2區。

中科院分區決定了SCI期刊在學術界的地位和影響力，對科研人員和學術機構具有重要的參考價值，具體如下：

對SCI期刊的評價：中科院分區通過將SCI期刊按照3年平均影響因子劃分為不同的等級，為科研人員和學術機構提供了一個評估SCI期刊學術影響力的重要依據。分區越高，說明該期刊在學科內的學術影響力越大，發表的文章質量越高。

對科研人員的成果評估：科研人員發表的論文所在的中科院分區，可以作為評估其研究成果質量的一個指標。

對科研資源的分配：中科院分區在科研資源分配方面也起到重要作用。科研機構在制定科研政策、分配科研資源時，會參考中科院分區。

對科研人員投稿的指導：中科院分區為科研人員選擇投稿期刊提供了參考。科研人員在選擇投稿期刊時，會參考中科院分區，以提高論文被接受的可能性，并增加研究成果的影響力。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志是一本專注于物理：應用領域的國際期刊，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.?出版，創刊于1954年，出版周期為Monthly。

《IEEE 電子器件學報》發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米電子學、光電子學、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發表了關于這些主題的教程和評論論文，偶爾還會出版專刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領域的論文。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志學術影響力具體如下：

在學術影響力方面，IF影響因子為2.9，顯示出其在物理：應用學領域的學術影響力和認可度。

JCR分區：Q2

按JIF指標學科分區，在學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q2，排名：143 / 352，百分位：59.5%；PHYSICS, APPLIED中為Q2，排名：68 / 179，百分位：62.3%；

按JCI指標學科分區，在學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q2，排名：145 / 354，百分位：59.18%；PHYSICS, APPLIED中為Q2，排名：61 / 179，百分位：66.2%；

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的審稿周期預計為：平均審稿速度 約4.7個月 ，投稿需滿足English撰寫，期刊注重原創性與學術嚴謹性，明確拒絕抄襲或一稿多投，Gold OA占比：6.38%，這使得更多的研究人員能夠免費獲取和引用這些高質量的研究成果。

該雜志其他關鍵數據：

CiteScore分區（數據版本：2024年最新版）：5.8，進一步證明了其學術貢獻和影響力。

H指數：165，年發文量：1084篇

聲明：以上內容來源于互聯網公開資料，如有不準確之處，請聯系我們進行修改。