《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志的收稿范圍和要求是什么?
來(lái)源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:48:50 592人看過(guò)
《Ieee Transactions On Nanotechnology》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域,此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊,在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大,專(zhuān)業(yè)度認(rèn)可很高,所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高,如果您的文章質(zhì)量很高,可以嘗試。
平均審稿速度 約3.0個(gè)月 ,影響因子指數(shù)2.1。
該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單,廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢(xún)本站客服,在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑,提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開(kāi)放訪問(wèn): | h-index: | 年文章數(shù): |
| 未開(kāi)放 | 73 | 109 |
| Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影響因子(數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎): | 開(kāi)源占比(OA被引用占比): |
| 8.41% | 2.1 | 0.11... |
| 研究類(lèi)文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) | 期刊收錄: | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單(試行)》名單: |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子):
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量:
歷年中科院JCR大類(lèi)分區(qū)數(shù)據(jù):
歷年自引數(shù)據(jù):
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 119 |
| USA | 104 |
| India | 91 |
| Taiwan | 39 |
| South Korea | 28 |
| Iran | 27 |
| GERMANY (FED REP GER) | 18 |
| Italy | 17 |
| France | 14 |
| Spain | 14 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì):
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 33 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... | 24 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 22 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 14 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 12 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 11 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 10 |
| UNIVERSITY OF HONG KONG | 10 |
| JILIN UNIVERSITY | 9 |
| BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & ... | 8 |
近年引用統(tǒng)計(jì):
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 177 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 134 |
| IEEE T NANOTECHNOL | 128 |
| NANO LETT | 107 |
| J APPL PHYS | 100 |
| ACS NANO | 91 |
| NATURE | 90 |
| SCIENCE | 77 |
| SENSOR ACTUAT B-CHEM | 74 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 70 |
近年被引用統(tǒng)計(jì):
| 期刊名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| IEEE T NANOTECHNOL | 128 |
| IEEE ACCESS | 89 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 88 |
| MICROELECTRON J | 47 |
| IEEE SENS J | 44 |
| NANOTECHNOLOGY | 42 |
| MICROSYST TECHNOL | 38 |
| IEEE T VLSI SYST | 37 |
| J ELECTRON MATER | 37 |
| MATER RES EXPRESS | 36 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì):
| 文章名稱(chēng) | 數(shù)量 |
| An Improved Particle Filter With... | 44 |
| Graphene-Silicon Schottky Diodes... | 26 |
| One-Step Synthesis of Au/SnO2/RG... | 21 |
| Perovskite Methylammonium Lead T... | 18 |
| Digital Metasurface Based on Gra... | 17 |
| Engineering Hexagonal Array of N... | 14 |
| Highly Sensitive Ammonia Sensors... | 14 |
| Parasitic Effect Analysis in Mem... | 13 |
| Challenges and Limitations of CM... | 12 |
| Understanding Energy Efficiency ... | 12 |
聲明:以上內(nèi)容來(lái)源于互聯(lián)網(wǎng)公開(kāi)資料,如有不準(zhǔn)確之處,請(qǐng)聯(lián)系我們進(jìn)行修改。