《Ieee Electron Device Letters》雜志目前處于幾區？
來源：優發表網整理 2024-09-18 10:50:41 1245人看過
《Ieee Electron Device Letters》雜志在中科院分區中的情況如下：大類學科：工程技術， 分區：2區； 小類學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣， 分區：2區。
中科院分區決定了SCI期刊在學術界的地位和影響力，對科研人員和學術機構具有重要的參考價值，具體如下：
對SCI期刊的評價：中科院分區通過將SCI期刊按照3年平均影響因子劃分為不同的等級，為科研人員和學術機構提供了一個評估SCI期刊學術影響力的重要依據。分區越高，說明該期刊在學科內的學術影響力越大，發表的文章質量越高。
對科研人員的成果評估：科研人員發表的論文所在的中科院分區，可以作為評估其研究成果質量的一個指標。
對科研資源的分配：中科院分區在科研資源分配方面也起到重要作用?？蒲袡C構在制定科研政策、分配科研資源時，會參考中科院分區。
對科研人員投稿的指導：中科院分區為科研人員選擇投稿期刊提供了參考。科研人員在選擇投稿期刊時，會參考中科院分區，以提高論文被接受的可能性，并增加研究成果的影響力。
《Ieee Electron Device Letters》雜志是一本專注于工程：電子與電氣領域的國際期刊，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.?出版，創刊于1980年，出版周期為Monthly。
IEEE Electron Device Letters 發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創性和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電學、成像、微執行器、納米電子學、光電子學、光伏、功率集成電路和微傳感器。
《Ieee Electron Device Letters》雜志學術影響力具體如下：
在學術影響力方面，IF影響因子為4.1，顯示出其在工程：電子與電氣學領域的學術影響力和認可度。
JCR分區：Q2
按JIF指標學科分區，在學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q2，排名：94 / 352，百分位：73.4%；
按JCI指標學科分區，在學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q1，排名：77 / 354，百分位：78.39%；
《Ieee Electron Device Letters》雜志的審稿周期預計為：平均審稿速度 約1.3個月 ，投稿需滿足English撰寫，期刊注重原創性與學術嚴謹性，明確拒絕抄襲或一稿多投，Gold OA占比：4.62%，這使得更多的研究人員能夠免費獲取和引用這些高質量的研究成果。
該雜志其他關鍵數據：
CiteScore分區（數據版本：2024年最新版）：8.2，進一步證明了其學術貢獻和影響力。
H指數：135，年發文量：477篇
CiteScore分區（數據版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
| 8.2 | 1.25 | 1.5 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經過加權后的期刊受引用次數。引用次數的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。
聲明：以上內容來源于互聯網公開資料，如有不準確之處，請聯系我們進行修改。
