期刊簡介
Journal Title：Ieee Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
中文簡介
IEEE Electron Device Letters 發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創性和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電學、成像、微執行器、納米電子學、光電子學、光伏、功率集成電路和微傳感器。
期刊點評
Ieee Electron Device Letters創刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術 - 工程：電子與電氣全領域，此刊是該細分領域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業細分領域中學術影響力較大，專業度認可很高，所以對原創文章要求創新性較高，如果您的文章質量很高，可以嘗試。平均審稿速度 約1.3個月 ，影響因子指數4.1，該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
中科院分區（數據版本：2023年12月升級版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區也叫中科院JCR分區，基礎版分為13個大類學科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區，影響因子5%為1區，6%-20%為2區，21%-50%為3區，其余為4區。
中科院分區（數據版本：2022年12月升級版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
中科院分區（數據版本：2021年12月舊的升級版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
中科院分區（數據版本：2021年12月基礎版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
中科院分區（數據版本：2021年12月升級版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
中科院分區（數據版本：2020年12月舊的升級版）
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
WOS分區（數據版本：2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學術信息的重要數據庫，Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息，來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分，根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區中，最后的劃分結果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質量最高。
CiteScore分區（數據版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
| 8.2 | 1.25 | 1.5 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經過加權后的期刊受引用次數。引用次數的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。
其他數據
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數： |
| 未開放 | 135 | 477 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數據來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 4.62% | 4.1 | 0.05... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發文量：
歷年中科院JCR大類分區數據：
歷年自引數據：
發文統計
2023-2024國家/地區發文量統計：
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
2023-2024機構發文量統計：
| 機構 | 數量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE ... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
近年引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
近年被引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
近年文章引用統計：
| 文章名稱 | 數量 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a ... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode b... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric ... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-G... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-P... | 22 |
相關期刊
| 同小類學科的其他優質期刊 | 影響因子 | 中科院分區 |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區 |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區 |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區 |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區 |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區 |
| Complexity | 1.7 | 4區 |
| Electronics | 2.6 | 3區 |
| Aerospace | 2.1 | 3區 |
| Buildings | 3.1 | 3區 |
| Energy | 9 | 1區 |
更多問題
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