IGZO-TFT鈍化層三元復合結構過孔刻蝕
作者：田茂坤; 董曉楠; 黃中浩; 王駿; 王思江; 趙永亮; 閔泰燁; 袁劍峰; 孫耒來; 諶偉; 王愷; 吳旭 重慶京東方光電科技有限公司; 重慶400700
摘要：IGZO-TFT鈍化層設計三元復合過孔結構,出現了20%過孔相關不良。本文以CF4/O2為反應氣體,采用控制變量法,從功率、氣體成分和比例、壓力等方面對氧化物TFT鈍化層的電感耦合等離子體刻蝕機理進行研究。當鈍化層為SiO2或SiNx單組分時,氧氣可以促進刻蝕反應;隨著CF4/O2比例增加,刻蝕速率先增大后趨于穩定,并且當CF4/O2=15/8時,刻蝕速率和均一性達到最優;與源功率相比,提高偏壓功率在提升刻蝕速率中起主導作用,同時均一性控制在15%以內;當壓力在4Pa以內時,刻蝕速率隨著壓力的降低而增加。據此分析,對復合結構SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蝕過程進行優化,得到了形貌規整、無殘留物的過孔,過孔相關不良得到100%改善。
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