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摘要:采用真空熱蒸發(fā)工藝,在ITO基片上分別制備ZnS薄膜和In薄膜,在正交實(shí)驗(yàn)條件下,以2%摻雜濃度的In原子摻雜可獲得較高的載流子濃度,在此基礎(chǔ)上,研究了不同退火溫度對(duì)ZnS:In薄膜的光、電性能的影響。
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