基于Sentaurus的SiC肖特基二極管模擬研究
作者：劉乃生; 苑龍軍 濰坊學院; 山東濰坊261061; 山東工業技師學院; 山東濰坊261053
摘要：基于寬禁帶半導體碳化硅材料,設計了一款4H-SiC基肖特基二極管,并利用Sentaurus模擬器對器件的正向特性和反向擊穿特性進行了模擬研究。一方面介紹了Sentaurus模擬器在本文模擬中應著重解決的器件結構設計及網格優化問題,另一方面,模擬結果表明設計的4H-SiC肖特基二極管正向開啟電壓達到2.24V,反向擊穿電壓達到1278V,反向擊穿電流達到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二極管制造領域將具有極大的應用潛力及優勢。
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濰坊學院學報雜志
濰坊學院學報雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：山東半島經濟與社會發展研究、莫言文學研究、北海文化研究、經濟·管理、法律、文學·語言·藝術、歷史、高等教育與教學、特殊教育、書評等。于2001年經新聞總署批準的正規刊物。
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