摘要：采用分子束外延法成功制備出非理想因子近似為1的臺面型SiGe HBT,測量了正常尺寸和大尺寸兩種晶體管的Gummel曲線和交流曲線,并測出其截止頻率。運用物理公式變換法對Gummel圖進行參數提取,包括非理想因子,集電極和基極串聯電阻,集電極和基極反向飽和電流等,其中基極反向飽和電流包括擴散項和復合項兩部分。將參數提取結果與資料上的理論值進行了比較,結果基本一致,驗證了提參結果的正確性,同時發現擴散電流項與面積成正比,而復合電流項與周長成正比。比較了不同尺寸SiGe HBT的參數提取技術,對大尺寸器件提取出IBO1和IB’O1兩個值,并給出了現象的相關解釋。