摘要：為更好掌握摻磷多晶硅腐蝕速率的變化規律,進而保障和改進MOS晶體管的柵極質量,從直接影響腐蝕速率的關鍵工步,包括多晶硅摻磷的均勻性及摻磷后表面氧化層處理兩個方面入手,對擴散原理、摻雜方式、三氯氧磷熱分解過程、摻磷多晶硅等原理進行了闡述,并分析了薄膜質量與各項工藝參數的關系。先通過理論分析,確定在同等工藝條件下,摻磷時間以及摻磷后表面氧化層處理方法是直接影響摻磷多晶硅腐蝕速率的關鍵工藝,然后在工藝實驗中實際監控腐蝕速率的變化,對不同摻磷時間以及摻磷后處理方式的樣片進行對比驗證,從測試結果中確定最佳工藝條件。本研究可為摻磷多晶硅工藝質量控制方法提供依據。