純鈦TA2表面陽極氧化法制備太陽能吸收涂層
作者：李雪健; 姚忠平; 魏晗; 夏琦興; 王建康; 李東琦; 姜兆華 哈爾濱工業(yè)大學化工與化學學院; 哈爾濱150001
摘要：以TA2為基體,利用陽極氧化法在硫酸溶液中制備太陽能吸收涂層,研究反應電壓和反應時間對膜層組成結構及性能的影響。結果表明,陽極氧化膜層晶相組成主要為銳鈦礦型TiO2,當氧化電壓為140 V,氧化時間為10 min時,膜層性能最佳,此時膜層吸收率α為0.759,發(fā)射率ε為0.19。膜層的微孔數(shù)量及孔徑隨電壓的增長而逐漸增加,而隨時間的延長而逐漸減小。膜層的太陽吸收率和發(fā)射率均隨氧化電壓的增長而增加,而在隨時間延長上沒有明顯變化。
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太陽能學報雜志
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