摘要：相比傳統的硅基電力電子器件,以碳化硅（Si C）和氮化鎵（Ga N）等寬禁帶半導體制備的新型電力電子器件憑借其優異性能被認為是可替代硅基器件的重要選擇。基于文獻計量方法,本文通過分析新型電力電子器件領域在1990—2017年間發表的科技論文,發現該領域的發展態勢主要表現以下特征：一是該領域的發文量至今保持穩定增長趨勢,目前仍是全球科學家重點關注的研究方向;二是該領域的研究熱點包括了關鍵材料生長制備的基礎研究與核心器件創新應用兩方面;三是全球國家/機構合作網絡呈現出明顯的區域合作特點,美日歐在該領域的科研實力處于領先地位,而中國大陸雖然研究規模不斷變大,但整體質量與領先國家仍存在一定差距。針對國內外在該領域的發展態勢,我國應不斷加強核心技術攻關、強化高水平創新主體建設和形成多元化的研究合作機制,以此加快推動國內新型電力電子器件領域的發展。