在晶元級Si襯底上制備高深寬比SiO2周期圖形
作者：戚永樂; 張瑞英; 仇伯倉; 王逸群; 王庶民 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件與應用重點實驗室; 蘇州215123; 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件及相關材料研究部; 蘇州215123; 中國科學技術大學納米學院; 蘇州215123; 清華大學深圳研究院; 深圳518055; 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米加工平臺; 蘇州215123; 中國科學院上海微系統所信息功能材料國家重點實驗室; 上海200050
摘要：本文主要介紹了通過步進式光刻、反相剝離和F基等離子體刻蝕工藝在晶元級si襯底上制備SiO2圖形的過程，在6in（15．24cm）Si襯底上實現了均勻的周期分別為1．0μm和1．6μm、深寬比分別為2．3和1．4的SiO2周期性掩膜．尤其在周期為1μm的條件下，窗口通過過曝光和反相剝離工藝減小到330nm，該尺寸超越了試驗用步進式光刻設備的極限精度尺寸．在通過HF和KOH溶液處理后，得到了帶有V型槽和較光滑側壁的SiO2圖形的Si襯底，該圖形適用于Ⅲ-V半導體通過深寬比位錯捕獲技術的材料生長．這種均勻的晶元級圖案制備方案促進了圖形化Si襯底技術和螄基Ⅲ-V半導體異質外延．
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納米技術與精密工程雜志
納米技術與精密工程雜志， 季刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：納米技術、微機電系統、精密加工、精密測量等。于2003年經新聞總署批準的正規刊物。
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