摘要：ITO薄膜是一類被廣泛應用的透明導電氧化物薄膜材料,也是稀磁半導體材料的候選之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe離子,樣品經快速熱退火處理后,GAXRD分析注入的Fe離子摻入進了ITO晶格中,樣品中沒有發現Fe納米團簇及氧化物等雜質相,但由于離子轟擊,樣品的結晶性變差,光透射率降低;Fe離子注入后,隨著氧空位濃度降低,以及雜質散射增強,樣品的電學性能降低,但由于Fe離子間通過氧空位形成了Fe-VO-Fe鐵磁耦合對,促進了樣品室溫鐵磁性的增強。