55~115GHz寬帶GaN功率放大器MMIC
作者：戈勤; 徐波; 王維波; 陶洪琪; 吳少兵; 薛偉韜 南京電子器件研究所; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室; 南京210016
摘要：研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工藝的3mm波段高增益、寬頻帶功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器結構,結合多節微帶線阻抗匹配方式實現寬帶放大器。由于該頻段器件增益較低,通過合理選擇輸出阻抗點,使放大器實現較高的增益和較大的輸出功率。測試結果表明,芯片在8V漏壓連續波下工作,在55~110GHz在片測試頻率范圍內,增益達到15dB,輸入輸出端口回波損耗基本小于-10dB,便于系統應用。通過分頻段測試,在55~115GHz頻率范圍內,最大飽和輸出功率達到180mW。
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固體電子學研究與進展雜志
固體電子學研究與進展雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。于1981年經新聞總署批準的正規刊物。
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