基于可調(diào)有源并聯(lián)反饋技術(shù)的超低功耗寬帶低噪聲放大器
作者：高麗娜; 龐建麗 黃淮學(xué)院; 河南駐馬店463000
摘要：設(shè)計(jì)了一款超低功耗寬帶低噪聲放大器(LNA)。該LNA采用互補(bǔ)電流復(fù)用結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)采用共柵級(jí)NMOS管和PMOS管作為輸入器件。采用有源并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)輸入網(wǎng)絡(luò)的低功耗,同時(shí)反饋級(jí)的電流被輸入晶體管復(fù)用,改善LNA的電流效率。利用襯底偏置方案,對(duì)反饋系數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)?；赥SMC 0.13μm CMOS工藝技術(shù)進(jìn)行流片,芯片面積為0.007、2mm^2。芯片在片測(cè)試結(jié)果為:在1V電壓供電下,消耗了500μA的電流。LNA的3dB帶寬為0.1~2.5GHz,增益為9.5~13.6dB,噪聲系數(shù)低于4.7dB,輸入三階交調(diào)截止點(diǎn)為-9.3~-6.8dBm。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊等。于1981年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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