C波段200W高增益GaN功率模塊
作者：呂立明; 奚紅杰; 賀瑩 中國工程物理研究院電子工程研究所; 四川綿陽621000; 南京電子器件研究所; 南京210016
摘要：報道了一款采用0.35μm GaN HEMT工藝的C波段高增益功率模塊。模塊采用三級放大電路拓撲,正負電源結構設計。末級匹配電路采用低損耗高Q值的陶瓷片實現,通過一級L-C阻抗變換和兩級威爾金森功分器,既進行了阻抗匹配又實現了功率合成。前級和中間級匹配電路采用高集成GaAs匹配電路實現,通過優化前級和中間級的推動比和級間匹配電路,降低了驅動級功耗。整個模塊采用低熱膨脹率、高熱導率的銅-鉬-銅(CMC)載板實現,解決了管芯熱匹配和熱傳導的問題。通過這三種技術途徑有效實現了模塊的高效率、小型化和低成本。測試表明,該器件在5.2~5.9GHz頻帶內、28V工作電壓下,飽和輸出功率達到了200W以上,此時功率增益為26dB、典型功率附加效率(PAE)為50%。
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固體電子學研究與進展雜志
固體電子學研究與進展雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。于1981年經新聞總署批準的正規刊物。
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