基于SiGe BiCMOS工藝的802.11ac系統射頻前端芯片設計
作者：陳亮; 朱彥青; 陳悅鵬 南京國博電子有限公司; 南京210016; 南京電子器件研究所; 南京210016
摘要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工藝,設計了一款工作在5.15~5.85GHz的用于802.11ac系統的高集成射頻前端芯片。芯片集成低噪聲放大器、開關、功率放大器以及電源管理電路、功能控制電路、靜電放電(Electro-static discharge,ESD)保護電路。芯片面積為1.56mm×1.56mm,封裝采用尺寸為2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管腳QFN封裝形式。芯片電源電壓為5V,控制電壓為3.3V。測試結果表明,發射通路的直流電流為120mA,增益為29dB,輸出P-1為27dBm,當輸出功率為18dBm時誤差向量幅度為-34dB;接收通路的直流電流為6mA,增益為12.5dB,噪聲系數為2.4dB,輸出P-1為10dBm。同時,芯片集成功率檢測功能可用于實現發射系統的動態增益控制。ESD測試結果顯示,各端口的ESD保護能力大于1500V(HBM模式)。
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固體電子學研究與進展雜志
固體電子學研究與進展雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。于1981年經新聞總署批準的正規刊物。
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