霧化施液單晶硅互拋拋光速率實驗研究
作者：李慶忠; 孫蘇磊; 李強強 江南大學機械工程學院; 無錫214122
摘要：調節自配拋光液的H 2O 2含量、pH值、拋光盤轉速和拋光壓力,通過電化學實驗,探究單晶硅互拋拋光過程中拋光工藝參數對腐蝕電位、腐蝕電流和拋光速率的影響規律,并解釋其電化學機理。實驗結果表明:霧化施液單晶硅互拋拋光速率隨著pH值、H 2O 2濃度和拋光盤轉速的增大呈現先增大后減小的趨勢,并在pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉速為70 r/min處達到最大值,隨著拋光壓力的不斷增大而增大;通過霧化施液單晶硅互拋拋光實驗得到合理的工藝參數:pH值為10.5、H 2O 2濃度為2%、拋光盤轉速為60 r/min、拋光壓力為7 psi,在該參數下,硅片的拋光速率達到635.2 nm/min,表面粗糙度達到4.01 nm。
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硅酸鹽通報雜志， 月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：特邀綜述、水泥混凝土、資源綜合利用、陶瓷、玻璃、道路材料、研究快報等。于1982年經新聞總署批準的正規刊物。
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