摘要：本工作模擬仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的電學性能,重點分析了Si-cap層厚度對Ge的層間互擴散的影響。依據本文的仿真模型,Si-cap層越薄,越有利于形成Si/SiGe突變異質結,并有利于形成勢壘更深的量子阱,這有利于將更多的空穴限制在SiGe層中,而不是進入厚的Si-cap層中。空穴在SiGe層中的遷移率顯著高于在Si-cap層中的遷移率,從而提高了器件性能。此外,較薄的Si-cap層有利于在SiGe層中形成更高的溝道電場,從而提高器件的開啟電流。