摘要：隨著航天遙感領域對分辨率、高速傳輸、低功耗方面需求的提高,基于電荷累加的TDICMOS探測器應運而生。該探測器無論在工藝上還是探測器結構上均與TDICCD和傳統數字累加的CMOS器件有著本質的不同。因此,許多關于探測器性能參數的測試方法無法適用于電荷累加的TDICMOS。本文基于電荷累加TDICMOS的自身特性,先后提出了關于電荷-DN轉換因子、滿阱電荷、電荷轉移效率、讀出噪聲等參數的新測試方法,同時搭建TDICMOS測試系統進行實驗驗證。實驗證明了上述測試方法的正確性和工程可實現性,為今后TDICMOS工程應用提供了重要依據。