合成及薄膜制備條件對CsPbBr3全無機鈣鈦礦量子點特性的影響
作者：馬雪; 莊仕偉; 韓麗錦; 胡大強; 張源濤; 董鑫; 吳國光; 張寶林 集成光電子學國家重點實驗室; 吉林大學電子科學與工程學院; 吉林長春130012
摘要：通過對不同合成條件與制備參數的量子點及其薄膜進行一系列特性表征,實現銫鉛溴量子點(CsPbBr3)合成條件和薄膜制備參數的優化。利用熱注入的方法,研究了反應溫度與反應時間對CsPbBr3量子點特性的影響。設計并獲得了不同合成條件下的CsPbBr3量子點樣品,并對所有樣品進行了特性表征。隨后將所有CsPbBr3量子點樣品制備成薄膜,探究其薄膜的光致發光特性。反應溫度為180℃、反應時間為5s時所合成的量子點尺寸最小,為9nm;旋涂速度為3000r/min、退火溫度為80℃、退火時間為10min時,所制備的薄膜光致發光強度最大。得到了相對最優的CsPbBr3量子點合成條件與CsPbBr3量子點薄膜制備條件。
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