摘要：GaAs材料經機械研磨后,表層形成粗糙界面,用酸堿法表面處理GaAs,使Ga-O、As-O鍵斷裂并修復粗糙界面,處理效果通過電導法測量界面態密度與XPS分析界面化合物價態來表征。結果表明酸堿處理均可降低界面態密度與表面Ga、As氧化物,且酸處理的效果優于堿處理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面態密度的降低可能主要與Ga化合物的減少相關。