Sb2(SSe)3薄膜的兩步法制備及其在太陽電池中的應用
作者：劉志遠; 薛仕虎; 袁敏; 王瑞; 張磊; 吳大軍; 高小蕊; 陶石; 房勇; 韓志達; 錢斌; 江學范 常熟理工學院物理與電子工程學院; 江蘇常熟215500
摘要：本文首先采用磁控濺射工藝在FTO襯底上沉積Sb2S3薄膜,然后通過Se化處理工藝制備Sb2(SSe)3薄膜.利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡及紫外-可見分光光度計對薄膜的結構及光學性能進行了分析.在此基礎上,初步制備了上襯底結構的太陽電池器件并對其性能進行了測試.結果表明,隨著Se化溫度的提高,所制備的Sb2(SSe)3薄膜晶粒逐漸變大,同時光學帶隙逐漸降低.這主要是由于在Se化過程中,Se原子替代Sb2S3中S原子的位置所造成的.所制備的太陽電池器件開路電壓達到了469.3mV,二極管理想因子為2.6,反向飽和電流為3.389×10-8A.
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
常熟理工學院學報雜志
常熟理工學院學報雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創新性，刊載內容涉及的欄目：俗文學研究·民歌、語言學研究、文學研究、文獻學研究、教育與教學研究等。于1988年經新聞總署批準的正規刊物。
- 省級期刊
- 1個月內審核