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摘要：目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管,從而提高了靜電控制和驅動電流。瑞士洛桑聯邦理工學院(EPFL)和中國的Enkris半導體公司所制造的材料結構由5個平行層組成,包括10nm氮化鋁鎵(AlGaN)阻擋層,1nm AlN間隔層和10nm GaN溝道(圖1)。
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