摘要：為滿足可穿戴集成電路的低功耗應用需求,設計了一種自偏置全集成的帶隙基準電壓電路。該電路采用純CMOS結構,利用金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的閾值電壓與溫度呈反比、熱電壓與溫度呈正比的關系,通過電路結構設計與晶體管尺寸優化,獲得一個與溫度無關的基準電壓。電路中的MOSFET偏置于工作電流極低的亞閾值區,從而有效降低了整個帶隙基準電路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工藝,在Aether軟件環境下完成了電路的仿真和版圖設計。后仿真結果表明,室溫下,電源電壓為3.3 V時,電路總電流為81.2 nA,輸出基準電壓為1.03 V,啟動時間約為0.48μs,功耗約為268 nW,在-40~125℃的范圍內溫度漂移系數為3.2×10-5/℃。流片后在片測試結果表明,當電源電壓在1.6~3.3 V之間變化時,電路輸出電壓穩定。